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一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。2007年5月29日 本发明方法以熔盐电沉积出的硅作为渗硅的硅源，电沉积硅和硅在钼基体中扩散同时进行，具有梯度层厚度容易控制，工艺参数范围宽，易操作，材料表面结构致 Patent9专利在线
Na3AlF LiF 熔盐体系中硅的电沉积行为 物理化学学报
2011年4月28日 摘要: 研究了Na3AlF6LiF 体系中硅沉积的电化学行为及影响因素, 并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得 了单质硅 结果表明: Si(IV)的电化学还原过程分步进行, 在FLINAKNa2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极,硅钢片为工作电极,石墨为辅助电极,在750℃下,用循环伏安法和计时电位法对Si4+的电化学反应机理和扩散系数进行了研究结 熔盐电沉积硅的基础研究 百度学术
一种大面积沉积非晶硅的反应盒的制作方法 X技术网
1999年11月10日 本实用新型一种大面积沉积非晶硅的反应盒沉积非晶硅的过程，是在反应盒中装好待沉积的四块玻璃衬底，并加热至200℃温度，在高真空的环境中，在200℃的衡温环境中，在反应盒中通入沉积非晶硅所需的反应气体，在反应盒中心铝电极板上通入1356MHz的射频 2012年2月8日 本发明涉及可加工层状钛硅铝碳陶瓷领域,特别提供了一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳 (Ti3Si (Al)C2)陶瓷涂层的方法,解决现有技术中难以获得纯的钛硅碳 (Ti3SiC2)涂层等问题。 该方法以钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)粉末、水 (H2O)为原料制成悬浮液,悬浮液中钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)的 中国科学院机构知识库网格系统: 一种利用电泳沉积制备钛硅
一种在碳颗粒表面沉积纳米硅的方法、材料和应用
2024年2月9日 专利申请cn6公开了一种多级复合结构的硅基负极材料及其制备方法，该材料为粒径15～38μm颗粒，由表面向内部依次为表层碳、高孔隙填充碳和硅碳微囊。发明专利cn1公开了一种用于二次锂电池的纳米硅碳复合材料及其制备方法和2014年10月5日 电沉积硅技术的历史和发展趋势docx 北京科技大学理化系,北京河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。 常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。 固体粉末法要消耗大量的硅,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体, 电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网
一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 百度学术
2013年1月22日 本发明提供一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法,二氯二氢硅和三氯氢硅液体采用独立的汽化器和过热器,分别进行汽化和过热;过热后的三氯氢硅气体,二氯二氢硅气体及高纯氢气通过各自的流量控制单元分阶段以合适的流量进入静态混合器中混合 2009年3月9日 硅单晶 (或多晶)薄膜的沉积 般为几到几十urn。 外延工艺的采用，有效地解决了在制备高频大功率 晶体管 和高速开关 性能。 片衬底上，由无数微小晶粒作无规则堆积而成的薄膜。 多晶Si薄膜可作为金属—氧化物— 半导体 （MOS）器件的栅电极，重掺杂多 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 电子实验 电子发烧友网
一种激光诱导热生长氧化硅的方法 百度学术
2014年3月13日 摘要： 本发明提供一种激光诱导热生长氧化硅的方法,所述方法包括:采用激光照射无定形硅制备氧化硅的步骤。 所述方法适用于晶圆背后感光技术制程。 所述晶圆背后感光技术制程包括:提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积 2018年12月14日 本发明属于分离膜的技术领域,公开了一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法方法:1)将导电基材进行预处理;2)通过电沉积方法在导电基材表面沉积氢氧化钴纳米片阵列;3)将表面沉积氢氧化钴纳米片阵列的导电基材置于溶液中,超声剥离,得到纳米片分散 一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法 百度学术
一种利用电化学共沉积制备镍/钛硅铝碳复合涂层的方法
2012年2月8日 CAS IR GRID以发展机构知识能力和知识管理能力为目标，快速实现对本机构知识资产的收集、长期保存、合理传播利用，积极建设对知识内容进行捕获、转化、传播、利用和审计的能力，逐步建设包括知识内容分析、关系分析和能力审计在内的知识服务能力，开展综合知识管理。CN 摘要： 本发明属于分离膜的技术领域,公开了一种电泳沉积快速制备二维MXene膜的方法方法: (1)将MAX粉末加入盐酸和氟化锂的混合溶液中刻蚀,离心洗涤,干燥,超声分散于溶剂中,离心,取上层溶液,获得MXene纳米片溶液; (2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉 一种电泳沉积快速制备二维MXene膜的方法 百度学术
一种电沉积硅薄膜的方法与流程
2022年4月13日 1本发明涉及新能源材料技术领域，特别是涉及一种电沉积硅薄膜的方法。背景技术： 2随着工业化进程的加快、化石矿物燃料的燃烧导致了不可再生能源短缺、温室效应、环境污染等日益严重。 太阳能由于具有绿色、安全、可持续、数量巨大等优点，越来越受到人们的关注，将来太阳能会替代部分 2022年10月28日 1本发明涉及电沉积技术领域，具体而言，涉及一种电沉积银的方法。背景技术： 2金属银因具有优良的耐腐蚀性、润滑性、装饰性、耐菌性，以及高导电性、高催化性、对环境的高敏感性等，在微电子行业、催化剂领域、传感器领域以及制备磁阻材料领域得到了广泛的应用。一种电沉积银的方法 X技术网
一种电解铜箔电沉积过程的在线监测方法及装置 百度学术
2022年6月10日 本发明公开了一种电解铜箔电沉积过程的在线监测方法及装置,包括向电解铜箔电沉积过程中的电解液发射超声波,获取超声波反射的时域信号,基于时域信号的变化初步监测电解铜箔生长过程,当H段波谱内的对应峰强逐渐变大,则判定电解铜箔逐渐变厚;该方法通过 2023年12月19日 7根据权利要求1所述的一种无定形碳‑硅‑碳纳米纤维‑石墨复合材料的制备方法，其特征在于：所述 化学气相沉积无定形碳的条件为：以脂肪烃或芳烃为碳源，压力为负压或正压，温度为500～1100，时间为1～3小时。8一种无定形碳‑硅‑碳纳米 一种无定形碳硅碳纳米纤维石墨复合材料及其制备方法和应用
一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺的
2021年1月26日 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺 技术领域 [0001] 本发明涉及硅太阳电池，更具体地涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺。 背景技术： [0002] 晶体硅/非晶硅异质结(shj)太阳电池是性能最好的单结硅电池，光电转换效率 2023年11月25日 CN [0029]实施例2 [0030] 本发明还提供另一种硅片局部沉积非晶硅的方法，采用正背面都覆盖有非晶硅层 的透明载板作为靶材，将靶材置于待沉积非晶硅的硅片附近（靶材背面与硅片的间距为02 ～2mm），靶材背面的非晶硅层朝向硅片，使用激 一种硅片局部沉积非晶硅的方法 豆丁网
一种大面积沉积非晶硅的反应盒的制作方法 X技术网
1999年11月10日 本实用新型一种大面积沉积非晶硅的反应盒沉积非晶硅的过程，是在反应盒中装好待沉积的四块玻璃衬底，并加热至200℃温度，在高真空的环境中，在200℃的衡温环境中，在反应盒中通入沉积非晶硅所需的反应气体，在反应盒中心铝电极板上通入1356MHz的射频 2012年2月8日 本发明涉及可加工层状钛硅铝碳陶瓷领域,特别提供了一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳 (Ti3Si (Al)C2)陶瓷涂层的方法,解决现有技术中难以获得纯的钛硅碳 (Ti3SiC2)涂层等问题。 该方法以钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)粉末、水 (H2O)为原料制成悬浮液,悬浮液中钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)的 中国科学院机构知识库网格系统: 一种利用电泳沉积制备钛硅
一种在碳颗粒表面沉积纳米硅的方法、材料和应用
2024年2月9日 专利申请cn6公开了一种多级复合结构的硅基负极材料及其制备方法，该材料为粒径15～38μm颗粒，由表面向内部依次为表层碳、高孔隙填充碳和硅碳微囊。发明专利cn1公开了一种用于二次锂电池的纳米硅碳复合材料及其制备方法和2014年10月5日 北京科技大学理化系,北京河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。固体粉末法要消耗大量的硅,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体,其保护措施和密闭性的严格要求使其应用受到了严格的限。电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网